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7月25日,北京经济技术开发区(北京亦庄)碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司(以下简称“芯合半导体”)发布自主研发生产的SiC SBD(碳化硅二极管)、SiC MOSFET(碳化硅三极管)两个系列的多款碳化硅功率器件,为半导体产业发展注入“芯”动力。 作为用来控制电流的重要半导体器件,SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅(SiC),更是开启了功率半导体的新时代。芯合半导体此次推出的碳化硅功率器件,采用了第三代半导体材料碳化硅和领先的芯片设计及制造工艺技术,具有更耐高温、更耐高压、高频率、低功耗等优势,可以广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、电力储能、服务器电源、工业电源变频、智能电网、轨道交通等各个领域。尤其在新能源汽车领域,碳化硅功率器件有助于实现
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