世宗大学&成均馆大学AFM：无毒铜基钙钛矿的忆阻器应用

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数字技术的进步推动了数据的快速增长，迫切需要高效的存储解决方案。在这方面，忆阻器作为下一代非易失性存储器展现出巨大的潜力，提供了优越的电气性能。在忆阻器材料中，铅卤化物钙钛矿因其可调节的特性、简便的合成方法和卓越的电阻开关（RS）性能而受到广泛关注。然而，环境毒性和稳定性的问题依然存在。 为解决这些问题， 世宗大学Ghulam Dastgeer和成均馆大学Dae Ho Yoon等人 转向了铜（Cu）基钙钛矿，这类材料具有宽带隙半导体特性，无毒且长期稳定。本文探讨了一种新颖的方法，旨在实现用于忆阻器应用的富碘Cs–Cu–I钙钛矿薄膜。通过战略性地功能化合成过程，薄膜的光电性能得到了显著提升。这种改良的Cs–Cu–I基忆阻器（CCI器件）在0.7 V的低操作电压下表现出优异的RS行为，具有4 × 10³秒的长保持时间和2 × 10⁻⁹ W的极低功耗 ………………………………