Adv.Mater.：CVD生长1T-TaS2螺旋结构！！

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国立清华大学 Yi-Hsien Lee 团队发表了题为Tunable Electron Correlation in Epitaxial 1T-TaS2 Spirals”的工作在Advanced materials期刊 上。 本文研究了在范德华力(vdW)材料中具有强电子关联的1T-TaS2螺旋结构的可调电子关联。通过化学气相沉积(CVD)方法实现了1T-TaS2螺旋结构的外延生长，并展示了其在室温下展现出的绝缘Mott态与电荷密度波(CDW)相交织的特性。研究发现，通过调节层间距，可以有效控制层间相互作用，从而简化系统以探索集体量子态和相关态。这项工作为研究和调控强关联vdW材料中的集体量子态提供了一个新的平台。 背景 1T-TaS2是一种典型的二维Mott绝缘体，因其在二维晶格中展现出多种集体量子态而备受关注，包括CDW、自旋液体和非常规超导性等。Mott绝缘体的特性与电子关联强度密切相关，而电子关联强度又与层间相互作用有关。1T-TaS2的层间相互作用对 ………………………………