支持在CPU/GPU上堆叠HBM内存，三星SAINT-D封装技术今年商用

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6月18日消息，据《韩国经济日报》报道，三星将于今年推出高带宽内存 (HBM) 的 3D 封装服务，该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的 2024 年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法，三星 3D 封装技术基本上将为2025 年底至 2026 年的HBM4集成铺平道路。 对于 3D 封装，三星此前就曾推出了一个名为 SAINT（三星先进互连技术）的平台，其中包括三种不同的 3D 堆叠技术：用于 SRAM 的 SAINT-S、用于逻辑的 SAINT-L 和用于在CPU或GPU等逻辑芯片之上堆叠 DRAM 的 SAINT-D 。 其中，三星在2022年正式宣布推出 SAINT-D 之后，已经研发了数年，预计今年将正式商用，这将是全球最大内存制造商和领先代工厂的一个重要里程碑。 三星的新型 3D 封装方法涉及将 HBM 芯片垂直堆叠在处理器顶部，这与现有的通过硅中介层水平连接 HBM 芯片和 GPU 的2.5D 技术不同。这种垂 ………………………………