下一代EUV光源，美国再次领先，芯片制造效率飙升十倍！

主要观点总结

文章介绍了美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）在激光、光学和等离子体物理学领域的研究，及其在半导体行业中的应用。文章重点描述了一个由LLNL领导的研究项目，该项目旨在研究大口径铥（BAT）激光系统在极紫外（EUV）光刻技术中的应用，为下一代光刻技术奠定基础。该突破可能推动新一代芯片制造技术的发展，从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。该文章还介绍了LLNL与合作伙伴的研究进展和研究成果。

关键观点总结

关键观点1: LLNL在激光、光学和等离子体物理学领域的尖端研究

数十年来，LLNL的研究在半导体行业的基础科学中发挥了关键作用，推动了计算机芯片的创新和发展。

关键观点2: 大口径铥（BAT）激光系统在EUV光刻技术中的应用

LLNL领导的项目将测试BAT激光系统在提高EUV光源效率方面的能力，与行业标准CO2激光器相比，效率可提高约10倍。

关键观点3: 突破可能为新一代光刻系统铺平道路

这项突破可能引领下一代“超越EUV”的光刻系统，生产出更小、更强大、制造速度更快且耗电量更少的芯片。

关键观点4: LLNL与其他合作伙伴的研究进展和成果

LLNL与SLAC国家加速器实验室、ASML圣地亚哥分公司以及荷兰的先进纳米光刻研究中心（ARCNL）的科学家合作，共同推进EUV光刻技术的发展。

文章预览

从左至右：德鲁·威拉德、布兰登·里根和伊萨·塔默正在大口径铥（BAT）激光系统上工作。（照片：杰森·劳雷亚/LLNL） 数十年来，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）在激光、光学和等离子体物理学领域的尖端研究，在半导体行业用于制造先进微处理器的基础科学中发挥了关键作用。这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机领域的惊人创新。 如今， 由LLNL领导的一个新的研究合作伙伴关系旨在为下一代极紫外（EUV）光刻技术奠定基础 ，该技术围绕实验室开发的驱动系统——大口径铥（BAT）激光系统展开。这一突破可能为新一代“ 超越 EUV ”的光刻系统铺平道路，从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。 该团队将参与极紫外光刻与材料创新中心（ELMIC），这是美国能源部（DOE）科学办公室选定的微电子科学研究中心 ………………………………