Nature Electronics: 石墨烯晶圆的无损转移与器件集成

文章预览

高品质石墨烯单晶晶圆制备与集成是石墨烯光电器件应用的重要前提。目前超平整、大单晶、无褶皱石墨烯晶圆已经成功在金属衬底表面制备。然而如何实现高质量、大面积的转移与精准表界面调控是影响石墨烯器件性能的关键。 针对这一科学问题，北京大学刘忠范院士、张艳锋教授、林立研究员团队近期在《Nature Electronics》发表最新研究成果，为解决这一难题提供了新的方案。研究团队通过在石墨烯晶圆表面外延生长单晶氧化锑（Sb₂O₃）介电薄膜，结合“介电层辅助转移技术”，成功实现了4英寸石墨烯晶圆的高完整度转移与高性能器件阵列的构筑。该技术不仅保留了石墨烯的本征电子特性，同时Sb₂O₃薄膜也表现出优异的介电性能。 在传统转移工艺中，石墨烯转移通常依赖聚合物支撑层，但这种方法很容易在转移过程中引入石墨烯结构损伤 ………………………………