部署High-NA EUV光刻机，台积电2nm要来了

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本文由半导体产业纵横（ID： I CVI EWS ）综合 采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。 据悉，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机。 这标志着台积电对这项先进半导体技术的立场从最初的谨慎转向全面采用，旨在保持其在竞争激烈的半导体行业中的领导地位，并满足对先进AI芯片制造工艺的快速增长的需求。 据TechSpot报道，采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。高NA EUV将数值孔径从0.33提高到0.55，从而实现更高的晶圆分辨率。根据台积电的路线图，高NA EUV光刻机将集成到其A14（1.4nm）工艺节点中，该节点预计将于2027年投入量产。 这些先进的光刻机不会立即投入使用。在将其集成到大批量生产之前，需要进行广泛的测试、微调和工艺优化。到这些 ………………………………