主要观点总结
本文介绍了一种使用乾鸿微电子HS102EO型高速SPDT模拟开关进行栅压控制的方案。该方案能够实现负电平精准控制功放的栅极电压，适用于需要切换传输负压信号的通信、视频、音频等应用场合。HS102EO型模拟开关基于CMOS工艺设计，具有较宽的工作温度范围。
关键观点总结
关键观点1: HS102EO型高速SPDT模拟开关用于栅压控制
该模拟开关能够实现负电源的应用，通过控制端口IN的信号来实现对S1和S2导通状态的控制。
关键观点2: HS102EO型模拟开关的电路应用
VDD端口接最高电平0V，GND端口接负电源-5V，通过控制端IN的逻辑高低电平实现对电压范围为-5V~0V的传输信号导通和关断情况的控制。
关键观点3: HS102EO型模拟开关的工作温度范围
该模拟开关采用塑封SOT23-6L，工业级，工作温度范围为-40℃~125℃。适用于通信、视频、音频等应用场合及负压信号处理系统。
关键观点4: HS102EO型模拟开关的设计基础
该模拟开关基于CMOS工艺设计，可在2.5V~5.5V的电源范围内工作。
文章预览
引言：某些功放产品（例如GaN功放），需要负电平精准控制功放的栅极电压。本文介绍一种简单的栅压控制方案，采用乾鸿微电子HS102EO型高速SPDT模拟开关进行栅压控制和高速切换 。 HS102EO型低压高速单刀双掷(SPDT)模拟开关是由深圳市乾鸿微电子有限公司自主设计，并基于国内代工厂工艺流片的模拟集成电路产品。 该产品基于CMOS工艺设计，可在2.5V~5.5V的电源范围内工作，除了常规的正电源应用外，还可以实现负电源的应用，具体应用电路图如下所示。 HS102负压应用电路图 V DD 端口接最高电平0V，GND端口接负电源-5V，控制端口IN给的信号是-5V~0V的方波，就以实现对S1和S2导通状态的控制。当IN端的信号为0V时，通道S1导通，S2关断；当IN端的信号为-5V时，通道S2导通，S1关断，导通真值表如下所示。 HS102EO In Switch S1 Switch S2 0 On Off 1 Off On HS102EO导通
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