三星HBM3E仍未通过英伟达认证，根源在1a制程DRAM？

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10月17日消息，据韩国媒体ZDNet Korea报导，虽然三星今年以来积极地想通过英伟达HBM3E认证，期望打入英特尔的供应链，但8层堆叠的HBM3E产品仍未通过认证，12层堆叠的产品很可能将延后至2025年第二季或第三季之后才有机会供应。 有专家指出，三星HBM的问题就是核心芯片DRAM。HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠连接，DRAM性能与HBM性能直接相关。因此怀疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM出了问题。 报道解释称，10nm级制程DRAM产品，分为第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM线宽约14nm，三星于2021下半年量产，尽管比对手早，还用了EUV来提高产能，但未让三星1a制程DRAM竞争力提升，反而因用EUV难度较高，让三星1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。 另外，三星1a制程DRAM设计不够完美，尤其服 ………………………………