这一新型部件或重塑现有系统，光源效率有望提升10倍

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尽管目前最先进的光刻机已经可以用于生产2nm芯片，但科学家仍在持续探索以进一步提升光刻机的综合性能，用于产生光源的激光器或成下一个突破口。 近日，据Tom's Hardware报道，美国实验室正在开发一种拍瓦（一种功率单位，表示10^15瓦特）级的大孔径铥（BAT）激光器。 据悉，这款激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器。 图源：LLNL 事实上，这则消息最早可以追溯至上个月。当时美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）在新闻稿中宣称，由该机构牵头的研究组织旨在为极紫外 (EUV) 光刻技术的下一次发展奠定基础，而其中关键即是被称作BAT激光器的驱动系统。 公开资料显示，LLNL是美国著名国家实验室之一，其最初成立于1952年，目前隶属于美国能源部的国家核安全局（NNSA）。数 ………………………………