台积电官宣1.6纳米，迎接新的设计挑战！

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TSMC（台积电）计划在20 2 6年末开始量产基于A16（1.6nm级）制程技术的第一批芯片，该消息是在本周早些时候于荷兰阿姆斯特丹举办的欧洲开放创新平台（OIP）生态系统论坛上宣布的。 这一新节点引入了台积电的超级电源轨（Super Power Rail, SPR） 背 面供电网络（ BSPDN），能够实现更高效的电源传输（所有电源通过芯片背面传输）和更高的晶体管密度。不过，尽管BSPDN解决了一些设计挑战，却也带来了新的问题，因此需要额外的设计努力。 A16制程技术的亮点 A16制程技术将采用全环绕栅极（GAAFET）纳米片晶体管，其架构类似于台积电的N2系列制程技术（2nm级）。此外，它还包含背面电源轨，用于提高电源传输效率并增加晶体管密度。与N2P制程技术相比，A16预计在相同电压和复杂度下性能提升8%-10%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低15%-20%。台积电还 ………………………………