新洁能Gen.4超结MOSFET 500V 产品系列

主要观点总结

新洁能Gen.4超结MOSFET在原有技术基础上进行升级，提高了结构密度和功率密度，并优化了开关特性和抗静电能力。本文主要介绍的是500V产品系列，该系列具有多种规格，适用于非隔离照明电源和LLC谐振电路等领域。其特点包括多种封装外形、高可靠性、低特征导通电阻等。

关键观点总结

关键观点1: 技术升级与提升性能

新洁能Gen.4超结MOSFET通过技术升级，提高了结构密度和功率密度，并优化了开关特性。

关键观点2: 500V产品系列的特点

500V产品系列涵盖多个规格，具有低特征导通电阻、高可靠性、优化的体二极管特性等优点，适用于非隔离照明电源和LLC谐振电路等领域。

关键观点3: 产品优势

新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品具有多种封装外形、Tjmax提升到175°C、同规格最优的FOM等特点。

关键观点4: 应用领域

新洁能Gen.4超结MOSFET 500V产品主要应用领域包括照明、LLC电源、TV等。

文章预览

引言 新洁能Gen.4超结MOSFET（Super Junction MOSFET IV）在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，进一步降低特征导通电阻，提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力。同时，器件加入了开关特性优化设计，可以为系统EMC设计提供更大的余量。此外，该系列产品优化了器件的抗静电能力，提升了整机装配和应用过程中的可靠性。 新洁能Gen.4超结MOSFET涵盖500V、600V、650V、700V、800V、950V等多个电压平台，本次我们重点介绍的是500V产品系列。500V产品系列涵盖导通电阻从110mohm至2200mohm多个产品规格。500V 电压平台还开发了具有快速恢复体二极管特性的F系列产品，该系列产品通过优化体二极管特性，减小反向恢复电荷和反向恢复时间，提升了体二极管反向恢复速度。在LLC等桥式电路中具有损耗低、可靠性高 ………………………………