消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

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三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题，今年 2 月就有传闻称 三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑 ，不过三星随即发布声明进行辟谣。 现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题，没有成功通过英伟达的测试。 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。 英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。 不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。 消息称三星从去年开始就一直 ………………………………