Nano Letters | MoO₂/MoSe₂金属-半导体异质结构的制备及其在光电器件中的应用研究！

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点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 随着新型电子器件和光电设备需求的不断增加，二维材料在电子器件领域的应用引起了广泛关注。二维过渡金属二硫化物（TMDs）由于其直接带隙和高迁移率等卓越的光电特性，成为研究热点。这些材料不仅具有出色的光学和电学性能，还在超快光响应和高效光电转换等方面展现出巨大的潜力。然而，传统的金属-半导体接触构建方法通常通过溅射、电子束或热蒸发来实现，不可避免地在界面引入晶格畸变和损伤，导致钉扎效应，从而限制了器件的性能。这种接触方式往往伴随界面污染和缺陷，严重影响了载流子传输效率和器件的整体表现。 为此，科学家们探索了多种策略以实现洁净的金属-半导体接触界面。例如，一些研究采用转移石墨烯或金属电极来创建范德华（vdWs）接触，尽管在一定程度上减少 ………………………………