主要观点总结
文章介绍了新型三维半导体集成技术，该技术实现了单晶沟道材料的基于生长的M3D集成。该技术通过降低生长温度至385°C，在非晶或多晶表面上生长单晶，解决了无缝单晶M3D的实用化难题。研究表明，利用新型材料二维过渡金属二硫族化物作为沟道材料，可有效减轻纳米尺度的性能退化。此外，文章还展示了基于该技术的无缝M3D集成过程、垂直CMOS结构以及逻辑电路的应用。上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务。
关键观点总结
关键观点1: 新型三维半导体集成技术解决了无缝单晶M3D的实用化难题。
该技术通过降低生长温度至385°C，实现了在非晶或多晶表面上生长单晶，为M3D集成提供了新方法。
关键观点2: 利用二维过渡金属二硫族化物作为沟道材料可有效减轻纳米尺度的性能退化。
该材料被认为是先进节点晶体管硅的替代品，具有潜在的应用前景。
关键观点3: 展示了基于新型技术的无缝M3D集成过程和垂直CMOS结构。
该技术能够实现垂直CMOS阵列的无损生长，为未来电子和光子的垂直M3D集成提供了机会。
关键观点4: 上海昂维科技有限公司提供相关服务和产品。
公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务，以及各种测试分析服务。
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