主要观点总结
中国科学院上海微系统所狄增峰研究员团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，开发了单晶金属插层氧化技术，并成功应用于先进二维低功耗芯片的开发。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临挑战。二维半导体材料是下一代集成电路芯片的理想沟道材料，但缺乏与之匹配的高质量栅介质材料。
关键观点2: 研究团队及成果
狄增峰研究员团队开发了单晶金属插层氧化技术，实现了单晶氧化铝（c-Al2O3）栅介质材料晶圆制备，并应用于先进二维低功耗芯片的开发。该技术解决了传统硅基非晶栅介质材料的问题，与二维半导体材料形成了完美界面。
关键观点3: 技术细节与优势
团队使用了单晶金属Al（111）晶圆作为介质，通过插层氧化技术形成c-Al2O3栅介质。这种技术实现了原子级平整的薄膜晶圆，具有稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀等特点。
关键观点4: 应用与性能
团队成功制备了低功耗c-Al2O3/MoS2晶体管阵列，具有良好的性能一致性。晶体管的击穿场强、栅漏电流、界面态密度等指标均达到国际先进水平，满足未来低功耗芯片的要求。
关键观点5: 行业影响与前景
此次研究成果有望启发集成电路产业界发展新一代栅介质材料。上海昂维科技有限公司提供相关的微纳加工服务和测试分析，为二维材料科学的研究和应用提供支持。
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