AM：ZnIn2S4纳米片的双缺陷工程增强光催化析氢

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光催化群-2： 927909706  台湾成功大学吳季珍教授（ Jih-Jen Wu ）、田弘康（ Hong-Kang Tian ）教授等 研究结构非中心对称的 ZnInS 材料的 In 和 S 缺陷浓度对其光催化制氢性能影响，观测发现 In 和 S 缺陷浓度对于 ZIS 纳米片光催化制氢速率的影响。 本文要点 要点1.  低频涡激振动（ low-frequency vortex vibration ）和压电极化效应有助于 ZIS 纳米片能够溶液中均匀分散，这对于增强双空位修饰 ZIS 纳米片的光催化 HER 性能非常重要。 要点2.  作者在这项研究中，通过多场模拟以及 DFT 理论计算和有限元分析，并且探索了空穴如何影响偶极矩以及压电性质，能够增强电势梯度，改善电荷分离。通过机器学习原子间的势能（ interatomic potential ）识别缺陷位点。当增加 In 和 S 缺陷位点的浓度，导致 ZIS 沿着 [100] 方向和 [010] 方向产生更高的电场梯度变化，这个现象促进偶极 ………………………………