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光催化群-2: 927909706 台湾成功大学吳季珍教授( Jih-Jen Wu )、田弘康( Hong-Kang Tian )教授等 研究结构非中心对称的 ZnInS 材料的 In 和 S 缺陷浓度对其光催化制氢性能影响,观测发现 In 和 S 缺陷浓度对于 ZIS 纳米片光催化制氢速率的影响。 本文要点 要点1. 低频涡激振动( low-frequency vortex vibration )和压电极化效应有助于 ZIS 纳米片能够溶液中均匀分散,这对于增强双空位修饰 ZIS 纳米片的光催化 HER 性能非常重要。 要点2. 作者在这项研究中,通过多场模拟以及 DFT 理论计算和有限元分析,并且探索了空穴如何影响偶极矩以及压电性质,能够增强电势梯度,改善电荷分离。通过机器学习原子间的势能( interatomic potential )识别缺陷位点。当增加 In 和 S 缺陷位点的浓度,导致 ZIS 沿着 [100] 方向和 [010] 方向产生更高的电场梯度变化,这个现象促进偶极
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