Adv. Mater: 通过化学气相沉积法在Cu(111)蓝宝石上实现解耦合高迁移率石墨烯

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成果介绍 高质量石墨烯在平面和刚性模板（如绝缘晶圆上的金属薄膜）上的生长，被认为是基于2D材料技术的关键推动因素。 有鉴于此，近日， 意大利理工学院Camilla Coletti等报道了通过非还原性低压化学气相沉积(LPCVD)在沉积在蓝宝石上的晶体Cu(111)薄膜上生长去耦合的石墨烯 。经显微镜、衍射和光谱学分析证实，所得到的薄膜在原子层面上是平坦的，没有可检测到的裂缝或波纹，并且位于一层薄薄的Cu 2 O层之上。对部分去耦合的石墨烯进行生长后处理，使界面完全均匀氧化，极大地简化了随后的转移过程，特别是干法拾取——当处理直接在金属性Cu(111)上合成的石墨烯时，这一任务被证明是具有挑战性的。电输运测量表明，在室温下载流子迁移率高，在SiO 2 /Si上超过10 4 cm 2 V -1 s -1 ，在六方氮化硼(hBN)中封装时超过10 5 cm 2 V -1 s -1 。本文展示的 ………………………………