关于HBM和存储周期的讨论

主要观点总结

文章介绍了与TrendForce的HBM/存储专家的电话会议内容，包括HBM、DDR5和NAND的市场趋势、价格预测及与存储周期相关的观点。文章还包含了与TrendForce不同的五个观点，主要关于长鑫存储、三星的HBM3e产能转换、DDR5和NAND的价格假设以及海力士的产量提升。此外，文章还涉及对三星电子、SK海力士的目标价及风险的分析。

关键观点总结

关键观点1: HBM领域市场趋势及供应需求情况

SK海力士在HBM领域占据市场主导地位，HBM需求旺盛，但供应紧张。中国HBM进口可能受到美国禁令影响。价格预计在2024年四季度至2025年一季度回落，然后在2025年下半年趋于平稳。

关键观点2: DDR5的价格预测及市场趋势

由于三星（HBM产能转换）、渠道库存以及长鑫存储的影响，DDR5价格在2024年四季度至2025年一季度将回落，然后在2025年下半年趋于平稳。然而，由于服务器DRAM和高端移动DRAM需求增加和供应紧张，这一趋势可能存在例外。

关键观点3: NAND的市场趋势及价格预测

由于芯片制造商的资本支出、企业级需求和长江存储的影响，NAND价格在2024年四季度至2025年一季度可能下调，然后在二季度趋于平稳或复苏。总体持谨慎乐观态度。

关键观点4: 与TrendForce的不同观点

文章提出了与TrendForce不同的五个观点，包括长鑫存储的产量、三星的HBM3e产能转换、DDR5和NAND的价格假设以及海力士的产量提升等。

关键观点5: 三星电子和SK海力士的目标价及风险分析

文章对三星电子和SK海力士的价格目标进行了阐述，并分析了上行和下行风险。

文章预览

TrendForce的HBM/存储专家重点介绍 11月13日，我们与TrendForce的HBM/存储专家团队（包括Avril Wu女士）进行了电话会议。 Wu女士及其团队强调了几点： 1、在HBM领域， SK海力士显然占据市场主导地位，相对于三星电子（其重新设计的12层HBM3e预计将在2025年一季度或二季度推出，目前仅为8层）和美光科技（其TSV产能远小于海力士/三星），HBM需求旺盛（占2025年DRAM销售额的34%），但供应紧张（由于良率问题、洁净室空间有限），中国HBM进口可能受到美国禁令影响（三星在中国的销售敞口相对较大）； 2、DDR5方面， 由于三星（HBM产能转换）、渠道库存（PC和智能手机OEM的库存高于正常水平）以及长鑫存储（积极扩张产能，包括LPDDR5）的影响，价格将在2024年四季度至2025年一季度回落，然后在2025年下半年趋于平稳（供应持续高企，无复苏迹象），但DDR4在2024年四季 ………………………………