主要观点总结
本文介绍了关于电力半导体器件中变化最大的就是功率MOSFET，特别是硅基器件中SJ MOSFET器件和IGBT器件在结构和工艺技术得到了较深的发展。同时也探讨了新型材料技术如宽禁带半导体（碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN））对电路设计师选择的影响。文章还对比了SiC MOSFET、Si SJ-MOSFET和Si IGBT的静态特性和动态特性，并提供了简单的方法来选择适当的半导体器件。
关键观点总结
关键观点1: 电力半导体器件的变化趋势，尤其是功率MOSFET的发展。
文中介绍了功率MOSFET在半导体材料发展中的变化，特别是硅基器件中SJ MOSFET和IGBT器件的结构和工艺发展。
关键观点2: 新型材料技术对电路设计师选择的影响。
新型宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为电路设计师提供了更多选择，使得半导体材料的选择变得更加复杂。
关键观点3: SiC MOSFET、Si SJ-MOSFET和Si IGBT的静态特性和动态特性的对比。
通过对比三种器件的静态特性和动态特性，包括传递特性、输出特性、R DS(ON) -T J 特性、C-V特性和栅电荷等，为电路设计师提供了选择适当器件的依据。
关键观点4: 如何选择适当的半导体器件。
提供了一组判断标准，帮助电路设计师根据电路设计的需求选择合适的半导体器件。
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点击蓝色 关注我们 整个电力半导体器件中变化最大的就是功率MOSFET，其中，硅基器件中SJ MOSFET器件和IGBT器件在结构和工艺技术得到了较深的发展。SJ（超结）MOSFET采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在高压应用时优势尤其突出。但是，以宽禁带半导体（碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN））形式出现的新材料技术正在提供可改善电路设计人员选择的选择，特性更接近理想的开关。 半导体材料发展路径（数据来源：浙商证券研究所 ） 工程师在性能、成本、操作、尺寸、热效率和可用性之间进行设计抉择时需要权衡取舍。 一、碳化硅MOS器件 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作
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