近年厚硅AWG进展

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    接着上篇，尽管silicon AWG在性能上差强人意，厚硅的无源器件却引人注目，整理了今年厚硅在AWG的性能。     最具代表的是VTT 在 3µm 绝缘体上硅（ SOI ）平台上设计并实现一种超宽带（ UWB ）、 0 到 L 波段、偏振不敏感（ PI ） 1 × 12 100Ghz 通道间距阵列波导光栅（ AWG ），插入损耗为 -0.82 dB 至 -1.52 dB ，可用于 UWB 波长选择开关等光子集成电路（ PIC ）中的解复用器和复用器。 通过直接利用 UWB 3 μ m PI 硅波导作为阵列波导来实现。      下表是不同方法来降低 AWG 的 PDL 和 PDWS 。 对比来看，利用非双折射波导消除偏振依赖性是最直接的方法，不需要额外的制造工艺和复杂性，具有更低的损耗和串扰。     3µm厚硅波导具有超低的传播损耗（0.1 dB/cm），在超宽波长范围（1.2µm至4µm）内提供低至零的双折射。3µm肋波导和条形波导的详细结构分别 ………………………………