研究透视：插层超晶格-半导体 | Nature

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自从掺杂镁 (Mg) 原子置换得到证明以来，p型氮化镓gallium nitride (GaN) 快速而全面的发展（如蓝色发光二极管）极大地塑造了现代生活，并为更加碳中和的社会做出了贡献。然而，氮化镓GaN和Mg之间相互作用细节，在很大程度上仍然是未知的。 今日，日本 名古屋大学（Nagoya University）Jia Wang，Hiroshi Amano等，在Nature上发文，实验观察到了Mg插层的GaN超晶格，可以通过在大气压下退火GaN上的金属Mg薄膜而自发形成。 这标志着首次将二维金属嵌入到块体半导体中，每个Mg单层错综复杂地插层至六方GaN的几个单层之间。该过程的特征在于，间隙插层interstitial intercalation，其引起垂直于间隙层的显著单轴压缩应变。 因此，Mg插层GaN超晶格中的GaN层，表现出了超过-10%异常弹性应变（相当于超过20GPa应力），这是薄膜材料的最高记录之一。应变改变了电子能带结构， ………………………………