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      当前二维材料的发展有一个重要的限制就在于材料的合成制备。高质量的物理实验结果，如高迁移率材料、量子霍尔效应、自旋阀器件等，基本都建立在机械剥离方法上。然而，要想实现二维材料在电子学中的大规模应用，大面积单晶材料的合成是必经之路。因此探索各种制备手段及其背后的机制对于拓展二维材料的实际应用有重要价值。 CVD 技术是常用的二维材料合成手段，已成功应用于大面积的 h-BN 、石墨烯的合成。然而对于范德华材料以外的非层状材料生长，  CVD 缺少有效的实验证明。近期 Nature Materials 上报道了一篇利用外延石墨烯（ Epitaxial Graphene, EG ） /SiC 的高能界面实现二维金属 Ga 的生长文章 ，有很强的借鉴意义。          EG/SiC 是指在 SiC(0001) 面上外延生长的石墨烯。具体做法：先用 HF 对 SiC 表面进行处理，刻蚀掉表面氧化 ………………………………