intel：MOSCAP MRM

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    硅微环调制器（ Si-MRM ）因其紧凑的占地面积、低驱动电压、高带宽，可以与其他硅光器件集成，使其成为光通信、光互连、光计算和微波光子学中的理想器件。对于某些特殊应用，如模拟光链路和高精度光学计算，高线性度至关重要。     PN 结脊形波导中自由载流子耗尽引起的等离子体色散效应通常导致有效折射率对反向偏压的非线性。且微环谐振器的固有洛伦兹传输曲线，硅 MRM 更难实现良好的线性。基于载流子耗尽的硅 MRM 的无杂散动态范围（ SFDR ）在 -169 dBm/Hz 的噪声基底下约为 85 R dB · Hz2/3 。     预失真是提高硅环形谐振器线性度的一种方法，实现 108dB · Hz2/3 的 SFDR ，但电光效率降低到约 7pm/V 。与传统的反向 PN 结相比， MOSCAP 结构具有显著的优势，通过接近恒定的电容密度增强 Si MRM 的线性，累积电荷与栅极电压呈线性关系。在不同 ………………………………