西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授CEJ：埋层界面Cl端钝化实现碳基CsPbBr3钙钛矿太阳能电池记录效率11.16%

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科学材料站 文 章 信 息 埋层界面钝化实现高效碳基全无机CsPbBr 3 钙钛矿太阳能电池研究 第一作者：周龙，眭梦佳 通讯作者：袁海东*，李培咸*，常晶晶* 单位：西安电子科技大学 科学材料站 研 究 背 景 全无机钙钛矿CsPbBr 3 在优异的热稳定性和电子迁移性方面表现出很大的潜力，目前已经采取了各种策略以制备高效高电压的碳基CsPbBr 3 钙钛矿太阳能电池。研究发现限制其效率的主要问题是电子传输层（ETL）和钙钛矿层之间存在严重的电荷传输和复合，克服该问题的最优策略之一是对ETL改性。基于SnO 2 基CsPbBr 3 钙钛矿太阳能电池性能比TiO 2 基更低，主要由于其较差的薄膜质量和能级不匹配问题。因此，迫切需要探索有效策略来提高基于SnO 2 基CsPbBr 3 钙钛矿太阳能电池的电压和效率。本论文采用高浓度CsCl掺杂SnO 2 实现高开路和高器件效率，并正是了C ………………………………