台懋半导体 | MOS 管结构，原理及基本应用(一)

主要观点总结

本文介绍了MOS管，包括其结构构造、特点、实用电路等。重点解释了MOS管的构造原理，包括N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管的结构，以及相关的技术参数和特性，如寄生电容、发热原因等。

关键观点总结

关键观点1: MOS管简介

MOS管是金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。

关键观点2: 结构构造

MOS管在一块掺杂浓度较低的半导体硅衬底上，通过半导体光刻、扩散工艺制作高掺杂浓度的区域，并覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层膜，再装上电极构成。

关键观点3: 关键特性解释

包括增强型与耗尽型的区别、沟道的重要性、寄生电容的影响、发热原因等。

关键观点4: 实用电路应用

MOS管用于控制大电流通断，高频开关应用，以及放大区工作等。

文章预览

MOS   管的英文全称叫   MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，   即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此， MOS   管有时被称为绝缘栅场效应管。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。 在一块掺杂浓度较低的P   型半导体硅衬底上，用半导体 光刻、扩散工艺制作两个高掺杂  浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极 D 和源极 S。然后在漏极和源极 之间的P 型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜 上装上一个铝电极，作为栅极 G。这就构成了一个 N 沟道增强型 MOS 管。显 然它的栅极和其它电极间是绝缘的。图 1-1 所示结构图和代表符号。 同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N   型半导体硅衬底上， 用半导体光刻、扩   散工艺制 ………………………………