浙江大学Nano Letters：通过缺陷工程提升WSe2场效应晶体管性能

主要观点总结

本文介绍了浙江大学赵昱达研究员团队通过缺陷优化策略，成功提升p型WSe2场效应晶体管（FET）性能的研究。研究内容包括缺陷钝化、分子功能化、高功函数半金属TiS2的使用以及接触工程结果。通过温和的分子处理和高功函数TiS2的转移接触，显著提升了p型WSe2 FET的电学性能。该研究为推进基于二维半导体的电子器件发展提供了新的策略。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

随着晶体管尺寸的缩小，二维（2D）材料在集成电路中的潜力巨大。然而，WSe2作为有前途的二维p型半导体，其表面缺陷阻碍了高性能p型FETs的实现。

关键观点2: 研究内容

浙江大学赵昱达研究员团队通过使用三氟甲基噻蒽三氟甲磺酸盐（TTT）分子处理WSe2，增加了空穴密度，诱导了缺陷钝化，并提高了空穴输运效率。同时，通过转移高功函数半金属TiS2，避免了金属沉积对材料表面造成的损伤，并促进了高效的空穴输运。优化后的WSe2-CF3-TiS2 FET实现了高达147 cm2/V·s的空穴迁移率，并在200 °C下表现出优异的稳定性。

关键观点3: 图文导读

文章中包含了关于缺陷钝化、分子功能化、高功函数半金属TiS2的使用以及接触工程结果的图表，直观地展示了研究过程和成果。

关键观点4: 总结

通过温和的分子处理和高功函数半金属TiS2的转移接触，显著提升了p型WSe2 FET的电学性能。这一性能提升主要归因于两个关键因素：一是TiS2接触防止了金属沉积造成的界面损伤，促进了高效的空穴注入；二是分子处理钝化了缺陷，增强了空穴输运。该研究不仅适用于WSe2，还具有广泛的适用性。

关键观点5: 其他信息

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