免费申领 | 英飞凌IGBT7系列芯片大解析

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IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。 IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有 S7，H7，T7，E7，P7 等完整系列的大家族。这几大系列之间，究竟有何区别？它们各自的适用领域又都在哪里？今天这篇文章就带大家一起来解析一下。 首先，在英飞凌已经商业化的IGBT7产品中，不同的IGBT7系列分布在不同的电压等级中： 650V：T7，H7 1200V：S7，H7，T7，E7，P7 1700V：E7，P7 2300V：E7 在同一电压级中，以1200V为例，我们可以按开关速度来进行排序，H ………………………………