北京大学发表电子器件热管理综述文章

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随着新型半导体材料的研究和应用，微纳电子器件的发展进入一个新时代。散热问题成为阻碍高性能大功率电子器件发展的主要技术瓶颈。比如，对于氮化镓射频器件，结点温度每上升10℃，器件的平均寿命就会下降为原来的一半，过高的工作温度将严重影响器件的性能和可靠性。随着半导体器件向紧凑化和高度集成化发展，先进热管理技术成为各国竞争的关键核心技术。 图1. 高效热管理技术在半导体器件中具有重大意义 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心黄如院士-程哲研究员团队联合诺奖得主天野浩院士在《Applied Physics Reviews》上发表了（超）宽禁带半导体异质结构实现电子器件冷却的综述论文，文章聚焦半导体异质结构在电子热管理研究中的四个关键方向： （1）晶圆级高质量（超）宽禁带半导体晶体材料生长. 高质量和高纯度 ………………………………