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2025年3月4日,Nano Lett.在线发表了 郑州大学 单崇新教授、 程少博教授和 武汉大学 张召富教授 课题组的研究论文,题目为《 Intralevel Optical Transitions of XV (XV = BV, SiV, and NV) Centers in Fluorinated Diamane 》,论文的第一作者为 Longbin Yan。 在推进量子信息处理方面,一个关键要求是能够支持单光子发射(SPE)的材料平台,这对于生成光子量子比特至关重要。 单光子发射需要具有局域性、顺磁缺陷态的材料,这些缺陷态在自旋子能级之间表现出能量分裂。 此外,这些态必须与宿主能带边缘良好隔离,以防止热激发,并且还必须允许缺陷态之间的自旋守恒光学跃迁,以实现连续的单光子发射。 尽管金刚石、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等各种体相材料已经展现出单光子发射特性,但它们面临一些限制,如由于高折射率和长辐射寿命导致的光子提
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