北京大学王新强&朱瑞最新AM：钙钛矿微光电子学的横向异质结

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钙钛矿异质结工程是微光电器件制造的先决条件，但仍然不足，目前的自上而下或自下而上的技术主要集中在制备垂直异质结堆叠。钙钛矿横向异质结结构一般依靠外延生长，无法满足微器件大规模生产的需求。鉴于此，2024年11月5日 北京大学Xiaoyu Yang & 王新强 & 朱瑞 于AM刊发钙钛矿微光电子学的横向异质结的研究成果，提出了一种接触扩散光刻技术，通过离子驱动的局部相变来演示钙钛矿横向相异质结（LPH）多晶薄膜。在热力学模拟的指导下，甲胺接触和迁移共同促进了被δ相多晶型物包围的α相甲脒基钙钛矿图案的原位形成。α相和δ相之间自发的I型异质结排列在 横向相异质结 薄膜中建立能量漏斗，以促进载流子利用和辐射复合。宽带隙δ相还可作为共面隔离器，实现器件集成的局部防漏电。基于明亮稳定的 横向相异质结 图案层，通过遵循传统 ………………………………