浙江大学团队研发高性能自整流忆阻器，与CMOS中道工艺兼容!

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研究内容 近日，浙江大学集成电路学院张亦舒团队提出了基于氧化钨制备的CMOS工艺兼容的高性能自整流忆阻器。该工作以题为“High-performance CMOS-compatible self-rectifying memristor for passive array integration”发表于Physical Review Applied。 本文第一作者为浙江大学集成电路学院博士生王字健 。该工作得到了国家自然科学基金委员会和浙江省自然科学基金重大项目的资助。 本研究团队选用了钨的氧化物WO₃作为核心材料。钨是CMOS工艺中常用的金属互连材料，这使得整个器件具有与现有工艺高度兼容的优势。器件采用简单的单氧化层结构，简化了制备工艺，并有效降低了工业成本。 图 论文部分成果展示 在性能方面，该器件展示了约103的开关比和105的整流比，表现出出色的稳定性，可在室温下保持106秒以上的数据保持能力和104次循环以上的循环寿命。在100×100的阵 ………………………………