永铭与纳微半导体深度配合，IDC3牛角电容推动AI服务器电源迈向更高功率

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" 在AI服务器迈向更高算力的进程中，电源的高功率与小型化成为关键挑战。2024年，纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100、英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，皆为提升AI服务器的电源功率密度。 随着电源功率密度的持续攀升 ，被动元器件需同时满足小型化、大容量、高可靠性的严苛要求。永铭与各合作伙伴深度配合，致力于为更高功率的AI服务器电源打造高性能电容器解决方案。 " PART 0 1 永铭与纳微深度配合 协同创新 面对电源系统对核心元器件的小型化设计与超高能量密度提出的双重挑战，永铭持续投入研发与创新，经过不断的技术探索与突破，最终成功开发出高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于氮化镓功率芯片领导者纳微发布的 4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源 方案中。 4.5kwAI服务器电源 8 ………………………………