技术前沿 | 薄膜铌酸锂引领高速传输新时代

文章预览

AI数据中心主要依赖400G及以上高速光模块，硅光DR模块成为主流，面临提升调制器带宽和效率的挑战，薄膜铌酸锂调制器成为未来高速率光模块的潜在解决方案。 AI数据中心的应用需求基本都是400G及以上的高速光模块，光模块速率的提升对芯片的带宽要求越来越高。目前400G以上速率的光模块有硅光和自由空间光两种技术方案，其中硅光的DR模块是目前的主流方案。 光模块的传输速率取决于调制器对光信号的调制速率，速率越高，调制器的带宽就需要越大。直调的DFB芯片的带宽在速率超过50Gbps之后很难提升，只能通过EML外调制来提升。但是EML芯片的成品率低，工艺制作难度大，成本高昂始终是个不容忽视的问题。在传统的自由空间光封装中，需要LD与Driver的带宽同时提升才能满足高速率的使用要求，在高速率应用中是个技术攻关与成本攻克难题。 硅 ………………………………