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文章链接: https://www.nature.com/articles/s41928-024-01233-w 在这种研究中,高内聚能( 内聚能 是一种材料内部原子或分子之间相互吸引的能量。简单来说,内聚能越高,材料的原子或分子之间的结合就越牢固。这种高的结合强度意味着材料更难以被分离或破坏。)金属电极(如铂和钨)有助于减少由化学气相沉积(CVD)生长的六方氮化硼(h-BN)中的缺陷带来的电流泄漏问题。与其他金属(如金)相比,高内聚能金属电极可以更有效地保持h-BN的结构完整性,从而提高晶体管的性能,如降低漏电流和增加介电强度。这使得这些电极在高性能二维材料晶体管的应用中具有显著优势。 摘要 二维半导体有望作为商用场效应晶体管的沟道材料。然而,二维半导体与大多数栅极介电层之间的界面含有陷阱,导致性能下降。 层状六方氮化硼(h-BN)可以与
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