突破铜互连瓶颈，IMEC探索替代金属

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为了减缓在半导体制造发展道路上出现的高密度互连挑战，比利时研究机构IMEC在美国西部半导体展(Semicon West 2017)前夕发表其于半导体材料、工艺模组与架构的最新进展。 在IMEC的年度美国技术论坛(ITF2017 USA)上，IMEC专精于互连技术的杰出技术研究员Zsolt Tokei解释芯片间互连如何随半导体工艺微缩而变得越来越紧密。由于芯片的尺寸缩小，铜线之间的横截面面积随之缩减，增加了互连的电阻-电容(RC)与讯号延迟。 Tokei表示，RC延迟问题的出现可溯及几个技术节点以前，而且随着每一工艺节点进展，这个问题也变得越来越具挑战性。他说，IMEC及其合作伙伴，包括英特尔(Intel)、三星(Samsung)与台积电(TSMC)，均已为未来的技术节点提出了高密度互连的几种选择。 IMEC目前正 ………………………………