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👆如果您希望可以时常见面,欢迎标星🌟收藏哦~ 本周,在旧金山举行的国际电子设备会议上,来自学术界和工业界的研究团队展示了高性能碳纳米管晶体管 (CNT) 和电路的数据。虽然这些设备可能还需要十年或更长时间才能集成到产品中,但与会工程师认为,该领域已经取得了巨大进步,碳纳米管将在未来系统中发挥关键作用,实现低功耗、高性能计算可以增强硅片的性能。 CNT 的直径约为 1 纳米,电子在其中穿梭。早在 2016 年,研究人员就制造出了首个性能优于硅基晶体管的CNT晶体管。然而,事实证明,用 CNT 构建复杂的电路和系统更具挑战性。斯坦福大学电气工程师H.-S. Philip Wong表示,他的团队和其他人在 IEDM 上展示的结果表明,CNT 设备在过去几年中取得了巨大进展。“许多基本问题已经得到解决,”他说。 在 IEDM 上,工程师们描述了碳纳米
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