国产碳化硅衬底厂商群雄逐鹿

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碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，在高温、高压、高频领域表现优异，已成为半导体材料技术领域的主要发展方向之一。 碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。 从工艺流程上看，首先由碳化硅粉末通过长晶形成晶碇，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底；衬底经过外延生长得到外延片；外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节。碳化硅衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%，合计约70%，后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。 从SiC产业链的价值分布看，衬底厂商掌握着核心的话语权，是国产化突破的关键。当前本土碳化硅衬底厂商已开始加大布局力 ………………………………