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MEMS
长波红外InAs/InAsSb II类超晶格雪崩光电探测器阶梯分级层设计
MEMS
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公众号
· · 2024-12-22 00:00
文章预览
红外探测技术在军事侦察、环境监测、医疗诊断等领域有着广泛的应用。传统的红外探测器在性能上存在一定的局限性,如探测灵敏度、响应速度等受限。InAs/InAsSb II类超晶格 (T2SL) 材料具有优异的光电性能和可调谐性,成为长波红外 (LWIR) 探测器的理想选择。长波红外探测中的弱响应问题长期以来一直是人们持续关注的问题,此类弱响应极大地限制了电子器件应用的可靠性。雪崩光电探测器 (APD) 虽然具有出色的响应性能,但在倍增过程中却饱受高暗电流困扰。 据麦姆斯咨询报道,近日,为解决以上这些问题,电子科技大学巫江教授团队成功设计了一种高性能的II类超晶格(T2SL)长波红外雪崩光电二极管(APD)。研究人员利用InAs/InAsSb T2SL吸收层较低的俄歇复合速率来降低暗电流。同时,采用低k值的AlAsSb作为倍增层,在保持足够增益的同 ………………………………
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