下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET

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最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。 水平纳米线围栅晶体管是FinFET技术的一种自然延伸 ，在工艺上他们有很多相似之处，目前FinFET的所采用的制造技术几乎可以全部应用到水平纳米线围栅晶体管中。   利用纳米线堆栈实现晶体管（截面图） （图片来源：IMEC） 据IEEE报道，来自IMEC的Hans Mertens研究小组，使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管，未来经过技术改进有可能投入量产。该团队使用硅锗混合材料在硅表面增设多个分层；随后在此基础上制作了包含多个替代层的“鱼鳍”，有些类似于具有多种沉积岩结构的岩石柱。在该步骤之后，团队移除硅锗，在每一鳍中只保留下两根 ………………………………