​北京大学/深圳理工合作，二维材料登上Nature Materials！

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特别说明： 本文由米测技术中心原创撰写，旨在分享相关科研知识。因学识有限，难免有所疏漏和错误，请读者批判性阅读，也恳请大方之家批评指正。 原创丨 米测MeLab 编辑丨 风云 研究背景 高质量电介质与通道材料的集成一直是硅电子器件发展过程中的核心任务，六方氮化硼 (hBN) 已成为下一代大规模集成电子器件中电介质集成的有前途的保护层。 关键问题 然而，hBN的发展主要存在以下问题： 1、理想的hBN薄膜应具有大面积、超平、单晶的特征 六方氮化硼 (hBN) 具有原子级平整度和无悬挂键，被广泛用作高κ电介质集成的优异界面层和保护层，这要求hBN 薄膜应面积大、超平、单晶并与先进的微电子制造兼容。 2、目前仍未实现晶片级均匀性的超平整hBN 近来，人们不断尝试利用化学气相沉积（CVD）技术在金属基底上生长高质量的单晶hBN薄膜，例如 ………………………………