MRAM，新兴的黑马

主要观点总结

本文主要介绍了磁性随机存储器（MRAM）这一新型存储技术的发展历程、现状和未来趋势。从早期的概念提出，到巨磁阻效应（GMR）的发现，再到商业化的MRAM产品的推出，MRAM技术不断改进和发展。现在，MRAM家族包括了自旋转移扭矩（STT）、自旋轨道扭矩（SOT）等多种类型。市场规模将持续扩大，主要厂商包括Everspin、三星、英特尔等。未来，MRAM与其他存储技术的融合将是重要的发展方向，例如在移动设备中的混合存储系统、与人工智能芯片的存算一体架构等。

关键观点总结

关键观点1: MRAM技术的发展历程

从早期的概念提出，到巨磁阻效应（GMR）的发现，再到商业化的MRAM产品的推出，MRAM技术不断改进和发展。

关键观点2: MRAM的主要类型和特点

MRAM家族包括了自旋转移扭矩（STT）、自旋轨道扭矩（SOT）等多种类型。MRAM具有非易失性、高速读写、低功耗和与逻辑芯片整合度高等特点。

关键观点3: MRAM的市场现状和主要厂商

市场规模将持续扩大，主要厂商包括Everspin、三星、英特尔等。这些公司不断推出新的产品和解决方案，推动MRAM技术的发展和商业化应用。

关键观点4: MRAM的未来发展趋势和应用场景

未来，MRAM与其他存储技术的融合将是重要的发展方向，例如在移动设备中的混合存储系统、与人工智能芯片的存算一体架构等。此外，MRAM还可以应用于计算机内存、航空航天、工业自动化、汽车电子、医疗等领域。

文章预览

1956 年，IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。 此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。 存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如 相变存储器（PCM）、阻变存储器（RRAM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM/Feram） 等。 01 MRAM的独特魅力 在介绍MARM前，我们先来简单了解一下新型的四种存储技术。 相变存储器（PCM） 通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值 ………………………………