北京理工大学Nature Communications：灰度纳米拓扑助力单层MoS2晶体管应力调控与性能提升

主要观点总结

该文章主要介绍了北京理工大学集成电路与电子学院刘霞教授团队与EPFL的Brugger教授和Kis教授团队合作，成功开发出基于应变工程的单层MoS 2场效应晶体管（FETs）。通过引入局部拉伸应变，显著提高了器件的载流子迁移率，并取得突破性的研究成果。研究团队利用灰度纳米拓扑技术，在单层MoS 2中引入多轴拉伸应力，提升了器件的电子迁移率。此外，文章还介绍了该研究的核心内容、实验方法和结果以及研究团队的工作得到了多项基金的支持。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队成功开发出基于应变工程的单层MoS 2场效应晶体管（FETs）。

通过引入局部拉伸应变，提高了器件的载流子迁移率并取得突破性研究。

关键观点2: 利用灰度纳米拓扑技术引入多轴拉伸应力。

在单层MoS 2中引入灰度纳米拓扑技术，通过创新方式提高器件的电子迁移率。

关键观点3: 实验方法和结果的详细介绍。

研究团队使用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对晶体管的微观结构进行表征，结果显示受应力的MoS 2器件在电子迁移率和开态电流方面表现出显著提升。

关键观点4: 得到多项基金的支持。

研究团队的工作得到国自然面上基金、科技部重点研发计划青年科学家项目等多项基金的支持，巩固了其在前沿领域的领导地位。

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