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点击蓝字关注我们 基于绿色磷化铟（InP）的量子点发光二极管（QD-LED），仍然存在效率低和工作寿命短的问题，这对完全无镉的QD-LED显示和照明构成了严峻的挑战。 不幸的是，造成这些限制的因素仍然不清楚，因此没有明确的设备工程指导方针。 在此， 河南大学申怀彬教授、 陈斐博士 、 中国科学技术大学樊逢佳教授、北京交通大学唐爱伟教授 通过 电激发瞬态吸收光谱 ，发现 最先进的绿色无镉 QD-LEDs （普遍采用InP-ZnSeS-ZnS核-壳-壳结构）的 低效率源于 ZnSeS 中间层 ，因为 它施加了高注入势垒 ， 限制了电子浓度和陷阱饱和度 。 2024年11月20日，相关论文以题为“ Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage ” 发表在 Nature 上。 河南大学博士研究生 卞阳阳 和中国科学技术大学博士研究生 严笑寒 为该论文共同第一作者；河南大学
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