华东理工大学陈彧教授课题组《Nat. Commun.》：良品率高达90%的聚合物纳米神经形态器件的构建

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点击上方 “ 蓝字 ” 一键订阅 与生物大脑的神经突触类似，忆阻器（Memristor）兼具记忆和逻辑运算的功能，理论上可以通过忆阻器完全替代现有的数字逻辑电路。这类能与CMOS工艺兼容的器件具有结构简单、速度快、功耗低、高存储容量和存内数据处理能力等优点，是实现高密度存储和以数据为中心的存内计算和感知计算技术的优势基础器件。然而，大多数阻变介质的结构不均匀性通常会导致随机和高度局部的电阻开关特性，从而降低了实际应用中纳米级忆阻器的良率和可靠性。因此，为了突破基于传统冯·诺依曼架构的算力瓶颈和摩尔定律限制，非常有必要创新设计和制备新型忆阻功能材料，开发具有优异的保持力、耐用性和器件间（D2D）性能一致性的忆阻器，这 ………………………………