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在进入28纳米节点时,半导体逻辑制造工艺出现了分岔。一条路线走向了三维工艺,即大家所熟知的FinFET,代表厂商有台积电、英特尔和中芯国际等晶圆制造厂商;另一条路线则还在坚持平面工艺,被称为FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽硅型绝缘体上硅),代表厂商有意法半导体(STMicroelectronics)。三星电子与格罗方德(GlobalFoundries)则两条腿走路,对FinFET与FD-SOI都有布局,但三星的先进逻辑制造工艺还是以FinFET为主。 由于台积电与英特尔只选择了FinFET工艺,三星的重点投入也在FinFET工艺上,因而FinFET工艺成为28纳米及以下先进工艺的主流选择,两厢比较,FD-SOI虽然也是逻辑制造工艺,但更像是一种“特色”工艺,产业生态还比较小众,参与厂商也较少,代表性的产品还不多。不过,自意法半导体2012年建成第一条28纳米FD-SOI产线以来,历
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