4年自主研发！中国实现芯片制造关键技术首次突破

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9月3日消息，据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京），成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。 这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。 沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能，如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度，一直被视为半导体技术的前沿。 然而，由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性，沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工艺一直是一个难题。 技术总监黄润华指出，碳化硅材料的硬度非常高，制造沟槽型结构需要极高的刻蚀精度和损伤控制，这对碳化硅器件的研制和性能有着决定性的影响。 为此研发团队通过不断的尝试和创新，最终建立了全新的工艺流程，解决了制造过程中的难点，成功制造出了性能更优的沟槽型碳化硅MO ………………………………