SK海力士3D DRAM，重磅公布

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank） 编译自businesskorea ，谢谢。 SK海力士正在加速其在被称为“梦幻存储器”的三维（3D）DRAM这一尖端领域的领先地位。该公司已经凭借其高带宽存储器（HBM）在人工智能（AI）半导体市场中处于领先地位，现在正寻求在下一代DRAM领域继续创新。 据业内人士6月23日透露，SK海力士于6月16日至20日在美国夏威夷举行的著名半导体会议“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。 在本文中，SK 海力士报告称，堆叠在五层中的 3D DRAM 的制造良率达到 56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中，约有 561 个可行器件被生产出来。实验性的 3D DRAM 显示出与当前使用的 2D DRAM 相似的特性，这一点也在所呈现的数据中得到强调。这是 SK 海力士首次披露其 3D DRAM ………………………………