2nm突围，背面供电技术的首个战场

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电子发烧友网报道（文/周凯扬）对于任何试图将半导体工艺推进至埃米级的晶圆厂而言，GAA和背面供电似乎都成了逃不开的两大技术。GAA和背面供电在满足芯片性能标准的同时，进一步改善了功耗和面积，可以说是高端芯片下一轮实现PPA全面提升的关键。 目前绝大多数晶圆厂已经确定了GAA这一晶体管架构上改变，然而在背面供电何时投入应用上，头部三大晶圆厂却没那么坚定。背面供电技术可以有效改善供电线路的空间占用，并减少电力传输过程中造成的损失。照理说这种供电网络方式的改进应该大力普及，但绝大多数晶圆厂似乎都更愿意将这一技术推迟至2nm甚至更晚的节点上。 英特尔：率先实现背面供电，与RibbonFET同步 作为才进入晶圆代工市场没多久，且此前在工艺水平上落后不少的英特尔，却成了背面供电技术的先行者。在2024年上半年投 ………………………………