研究前沿：氧化铟镓锌IGZO材料-无电容芯片存储 | Nat Rev Electrical Engineering

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突破性无电容器IGZO-DRAM技术：开启高密度3D存储新时代 近日，由比利时微电子研究中心（imec）领衔的研究团队在《自然·电子工程评论》发表重要成果，提出一种基于氧化铟镓锌（IGZO）半导体的无电容器DRAM技术。该技术通过革新存储单元结构，解决了传统DRAM面临的缩放瓶颈与高功耗难题，为未来人工智能、云计算等高数据需求应用提供了关键支持。 **技术突破：双晶体管替代电容器，性能全面提升**   传统DRAM存储单元由1个硅晶体管和1个电容器构成，但随着工艺微缩，电容器体积限制3D集成，漏电流问题也导致数据保留时间缩短、刷新频率增加。imec团队提出的新型“2T0C”存储单元彻底摒弃电容器，采用两个IGZO薄膜晶体管（TFT）分别负责读写操作。IGZO材料的宽禁带特性使晶体管在关闭时漏电流极低（低至3×10⁻⁹ A·μm⁻¹），数据保留时间突破40 ………………………………